STP8NS25

N-CHANNEL 250V 0.38 OHM 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET The STP8NS25 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 25V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STP8NS25 is a high-current, low on-resistance N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low gate charge and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Avalanche ruggedness  
- TO-220 package for easy mounting  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 250V 0.38 OHM 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET