N-CHANNEL 700V 0.90 OHM 6.8A TO-220/TO-220FP/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET The STP8NC70Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about the device from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 700V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  

### **Descriptions:**  
The STP8NC70Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, high switching speed, and low on-resistance, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (700V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STP8NC70Z.

N-CHANNEL 700V 0.90 OHM 6.8A TO-220/TO-220FP/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET