STP80NF55L-06

N-CHANNEL 55V The **STP80NF55L-06** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **STP80NF55L-06** is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for automotive, industrial, and power management systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current handling** capability  
- **Fast switching** performance  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and power supplies**.

N-CHANNEL 55V