### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 27A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 24nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 95pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The STP7NC80Z is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and low on-resistance, making it suitable for efficient power conversion.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (800V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low on-resistance for reduced conduction losses**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **TO-220 package for easy mounting**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, inverters, and motor control applications.