N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The STP7NB40FP is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 22 nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ (low on-resistance, fast switching)  
- **Package:** TO-220FP (fully insulated)  
- **Mounting Type:** Through Hole  

### **Features:**  
- High voltage capability (400 V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fully insulated package (TO-220FP) for improved thermal performance  
- Avalanche ruggedness  
- Zener-protected gate  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. No additional suggestions or guidance are provided.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET