### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 6pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides additional protection against voltage spikes.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, lighting, and industrial applications.  

This MOSFET is optimized for efficiency and robustness in high-voltage environments.