STP4NC80Z

N-CHANNEL 800V 2.4 OHM 4A TO-220 TO-220FP I2PAK ZENER PROTECTED POWERMESH III MOSFET The STP4NC80Z is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 60W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 230pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP4NC80Z is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching speed, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **TO-220 Package**  

The device is designed for reliability and efficiency in high-voltage applications.

N-CHANNEL 800V 2.4 OHM 4A TO-220 TO-220FP I2PAK ZENER PROTECTED POWERMESH III MOSFET