OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STP4NA40FI is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP4NA40FI is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (400V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **TO-220FP (Insulated) Package**  

This MOSFET is commonly used in applications such as switch-mode power supplies (SMPS), inverters, and electronic ballasts.

OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN