### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 90nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- High voltage capability (200V)  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Suitable for high-efficiency power switching applications  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and other high-voltage switching applications.