100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4110 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 180nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 220pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFB4110 is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in industrial, automotive, and power supply systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 180A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in harsh conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces parasitic turn-on effects.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.