N-CHANNEL 900V 4.1 OHM 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STP3NK90Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10.8A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
The STP3NK90Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for applications requiring efficient switching and high voltage handling. It is suitable for power supplies, lighting, motor control, and other high-voltage switching applications.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 900V 4.1 OHM 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET