800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBE30PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFBE30PBF  

### **Description:**  
The IRFBE30PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of Infineon's HEXFET® power MOSFET family, known for low on-state resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 40ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- High voltage capability (800V)  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Low on-state resistance  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Type:** TO-220AB (Through-hole)  
- **Pin Configuration:**  
  - Pin 1: Gate (G)  
  - Pin 2: Drain (D)  
  - Pin 3: Source (S)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.