N-CHANNEL 800V The STN1NK80Z is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STN1NK80Z is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, converters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage.  
- **Low Input Capacitance:** Enhances switching performance.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **TO-92 Package:** Compact and suitable for through-hole mounting.  

The device is RoHS compliant and halogen-free.  

For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official datasheet.