N The STH6NA80FI is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Drain-Source On-Resistance):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
- The STH6NA80FI is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications.  
- It is built using ST’s advanced MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for high-efficiency power supplies, inverters, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **TO-220FP Insulated Package:** Provides electrical isolation and thermal efficiency.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the STH6NA80FI MOSFET.