800V N-Channel MOSFET The FQPF5N80 is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Part Number**: FQPF5N80  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  
- **Applications**: Switching power supplies, motor control, and high-voltage circuits  

No further suggestions or guidance are provided.

800V N-Channel MOSFET The FQPF5N80 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications (FAI - Fairchild Semiconductor):**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications such as power supplies, inverters, and motor control.  

(Source: Fairchild Semiconductor/ON Semiconductor datasheet for FQPF5N80.)

800V N-Channel MOSFET The FQPF5N80 is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 18A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 2.25A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typ)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.