N-CHANNEL 30A The **STGW20NC60V** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **STMicroelectronics**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 20A  
- **Current Rating (I_C at 100°C):** 12A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical at I_C = 20A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 300ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The **STGW20NC60V** is a high-speed, rugged IGBT designed for high-efficiency switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for power converters, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Supports up to 20A at 25°C.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances switching efficiency and reliability.  

For exact application details, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.