N-CHANNEL 7A The **STGP7NB60HDFP** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220FP (isolated)  

### **Descriptions:**
- The **STGP7NB60HDFP** is a **high-voltage N-channel MOSFET** designed for **switching applications** in power supplies, motor control, and inverters.  
- It features **low on-resistance** and **fast switching** performance due to ST's **MDmesh™ II technology**.  
- The **isolated TO-220FP package** ensures better thermal performance and electrical isolation.  

### **Features:**
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge for fast switching**  
- **Low R_DS(on) for reduced conduction losses**  
- **Improved dv/dt capability for ruggedness**  
- **100% avalanche tested for reliability**  
- **Isolated package for simplified mounting**  

This information is based on the official datasheet from **STMicroelectronics**. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's documentation.