N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR The STD9N10T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD9N10T4 is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard logic circuits.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Provides efficient thermal performance.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the STD9N10T4 MOSFET.

N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR