100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF540NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 130W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 44mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 33A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 430pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF540NPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power management, motor control, and switching regulators.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low on-resistance  
- **Dynamic dv/dt Rating** for improved reliability  
- **Fully Avalanche Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Low Gate Charge** for efficient switching  
- **Logic-Level Gate Drive** (with sufficient V_GS)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.