N-CHANNEL 500V The **STD6NK50ZT4** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**
- The **STD6NK50ZT4** is a **high-voltage N-channel MOSFET** designed for switching applications.  
- It is part of STMicroelectronics' **MDmesh™ Z** series, optimized for **low conduction losses** and **high switching performance**.  
- The device is housed in a **TO-220** package, providing efficient thermal dissipation.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for improved switching efficiency.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Suitable for** power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the **STD6NK50ZT4**.

N-CHANNEL 500V

N-CHANNEL 500V The **STD6NK50ZT4** is a **N-channel 500V, 4.2A, 1.5Ω** MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low input capacitance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **100% avalanche tested**  
- **Zener-protected gate**  

### **Package:**  
- **TO-220FP (isolated tab)**  

This MOSFET is designed for **high-efficiency power switching applications**, including **SMPS, lighting, and motor control**.  

Would you like additional details?

N-CHANNEL 500V