N-CHANNEL 30V The STD60NH03L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 6.0mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Gate Charge (Q_g):** 100nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STD60NH03L is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current capability** (60A continuous, 240A pulsed)  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Optimized for synchronous rectification**  
- **Low gate charge** for improved efficiency  
- **TO-252 (DPAK) package** for surface-mount applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 30V