STD5N20T4

N-CHANNEL 200V The STD5N20T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.8Ω (at V_GS = 10V, I_D = 2.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD5N20T4 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power management in various electronic circuits.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Performance** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness** for improved reliability.  
- **100% Avalanche Tested** for robustness.  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 5V drive signals).  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-voltage switching applications.

N-CHANNEL 200V