### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 55pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.