3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRF610 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)** (now part of Infineon Technologies)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 1.7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole)  

### **Features:**  
- High voltage capability (200V)  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Repetitive avalanche rated  

### **Applications:**  
- Switching regulators  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power amplifiers  
- High-voltage applications  

This information is based on the IRF610 datasheet from International Rectifier (Infineon).