### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD4NK60Z is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge (8nC typ)**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Low on-resistance**  
- **100% avalanche tested**  

The device is available in a TO-252 (DPAK) package.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)