**Part Number:** STD4NC50T4  

**Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ DM2  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

**Descriptions:**  
The STD4NC50T4 is a high-voltage N-channel MOSFET featuring ST's MDmesh™ DM2 technology, optimized for high efficiency and fast switching in power applications.  

**Features:**  
- Low gate charge  
- Low on-resistance  
- High dv/dt capability  
- Improved switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  
- RoHS compliant  

For detailed technical information, refer to the official STMicroelectronics datasheet.