### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 6.5nC (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  

For exact datasheet details, refer to STMicroelectronics' official documentation.