N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR The STD4NA40 is a power rectifier diode manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power Rectifier Diode  
- **Voltage Rating (VRRM):** 400 V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 4 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 100 A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1 V (typical at IF = 4 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 10 µA (max at VR = 400 V)  
- **Junction Temperature (Tj):** -65°C to +175°C  
- **Package:** DO-41  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose rectification in power supplies, converters, and other electronic circuits.  
- Features high reliability and low forward voltage drop.  
- Suitable for high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Surge Current Capability**  
- **Low Leakage Current**  
- **High Junction Temperature Capability**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR