N-CHANNEL 30V The STD40NF03LT4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 7.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (Min), 2V (Typ), 3V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (Typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The STD40NF03LT4 is a low-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package for surface-mount applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current capability (40A continuous, 160A pulsed).  
- Fast switching performance.  
- Improved dv/dt capability.  
- 100% avalanche tested for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-CHANNEL 30V

N-CHANNEL 30V The **STD40NF03LT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **STD40NF03LT4** is a **low on-resistance** N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for **low voltage, high current** applications such as DC-DC converters, motor control, and power management.  
- The device features **fast switching speeds** and **low gate charge**, making it suitable for high-frequency applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (40A continuous, 160A pulsed).  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  
- **TO-252 (DPAK) package** for efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 30V