N-CHANNEL 600V The STD3NM60-1 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for high-voltage applications.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improved ruggedness in inductive load applications.  
- **Zener-Protected Gate:** Provides enhanced reliability against electrostatic discharge (ESD).  
- **Applications:** Switching power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-CHANNEL 600V