N-CHANNEL 600V 2.8 OHM 2A DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET The STD2NM60 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  

### **Description:**  
The STD2NM60 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **Low On-Resistance**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD2NM60.

N-CHANNEL 600V 2.8 OHM 2A DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET