N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The **STD2NB60T4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The **STD2NB60T4** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

The device is available in a **TO-252 (DPAK)** surface-mount package.  

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