600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC20PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 90pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFBC20PBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications. It offers low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on Vishay's datasheet for the IRFBC20PBF.