N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK package The STD2HNK60Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-92 (Through-hole)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Low gate charge for improved switching performance.  
- Fast switching speed.  
- Suitable for energy-efficient power conversion systems.  
- Applications include power supplies, lighting, and motor control.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK package