N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET The **STD1HNC60T4** is a **600V, 1A** Schottky diode manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_RRM):** 600V  
- **Average Forward Current (I_F(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM):** 30A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (V_F):** ~1.7V (typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (I_R):** ~5µA (typical at 600V)  
- **Junction Temperature Range (T_J):** -40°C to +150°C  
- **Package:** **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Features:**  
- **High voltage capability** (600V)  
- **Low forward voltage drop** for improved efficiency  
- **Fast switching performance**  
- **High surge current capability**  
- **AEC-Q101 qualified** (suitable for automotive applications)  
- **RoHS compliant**  

This diode is commonly used in **power rectification, freewheeling diodes, and switching applications** in automotive, industrial, and consumer electronics.  

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N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFET