### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) - 2.5V (max)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against energy spikes.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V gate drive signals.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and battery management systems.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD100NH03L.