N-CHANNEL 700V 1 OHM 7.5A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The STB9NK70Z-1 is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details about this component:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 700 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**
The STB9NK70Z-1 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and lighting applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (700 V)**  
- **Low On-Resistance (1.2 Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet.