N-CHANNEL 30V The STB80NF03L-04 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)**  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Logic Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 30V The STB80NF03L-04 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STM). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** STripFET™ III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 3.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 70nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**
The STB80NF03L-04 is a high-performance N-channel MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features STMicroelectronics' STripFET™ III technology, which provides low on-resistance and high efficiency in power switching applications.

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.