N-CHANNEL 800V The STB7NC80Z is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STB7NC80Z is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is built using STMicroelectronics' advanced MDmesh™ technology, which ensures low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- **Advanced MDmesh™ Technology:** Provides low conduction losses and high switching performance.  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for robust operation.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching and reduced drive losses.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures consistent performance in harsh conditions.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Suitable for surface-mount applications with good thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.