STB6NK60ZT4

N-CHANNEL 600V 1 OHM 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET The **STB6NK60ZT4** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The **STB6NK60ZT4** is a high-voltage **N-channel MOSFET** designed for switching applications. It features **low gate charge**, **fast switching speed**, and **low on-resistance**, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Key Features:**  
- **600V breakdown voltage** for high-voltage applications  
- **Low gate charge** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Zener-protected gate** for increased robustness  
- **TO-220FP package** for better thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 600V 1 OHM 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET