N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The STB6NB50T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency in switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability in harsh conditions.  
- Suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.