N-CHANNEL 100V The STB40NF10T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 40mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The STB40NF10T4 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 40A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For more details, refer to the official STMicroelectronics datasheet.

N-CHANNEL 100V The **STB40NF10T4** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (STM)  

### **Type:**  
N-channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Improved dv/dt capability  
- 100% avalanche tested  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Automotive applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official STMicroelectronics documentation.

N-CHANNEL 100V The STB40NF10T4 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST).  

**Specifications:**  
- **Type:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer applications.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)