PSMN004-60PManufacturer: 0549 N-channel enhancement mode field-effect transistor | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PSMN004-60P,PSMN00460P | 0549 | 910 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel enhancement mode field-effect transistor **Introduction to the PSMN004-60P Power MOSFET**  
The PSMN004-60P is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching applications in power electronics. With a robust voltage rating of 60V and a low on-resistance (RDS(on)) of just 4.0 mΩ, this component minimizes conduction losses, making it ideal for high-current applications such as DC-DC converters, motor drives, and power management systems.   Featuring a compact and thermally efficient package, the PSMN004-60P ensures reliable operation under demanding conditions. Its fast switching characteristics enhance energy efficiency, while its low gate charge (Qg) reduces drive requirements, simplifying circuit design. Additionally, the MOSFET’s avalanche-rated capability provides added durability in transient voltage scenarios.   Engineers favor the PSMN004-60P for its balance of performance, thermal management, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or automotive electronics, this MOSFET delivers consistent power handling with minimal losses. Its design prioritizes both reliability and efficiency, making it a preferred choice for modern power conversion solutions.   For detailed specifications, designers should refer to the official datasheet to ensure proper integration into their applications. |
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| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| PSMN004-60P ,PSMN00460P | PHILIPS | 4000 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel enhancement mode field-effect transistor **Introduction to the PSMN004-60P Power MOSFET**  
The PSMN004-60P is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a low on-resistance (RDS(on)), this component ensures minimal power loss, making it ideal for switching and amplification circuits in industrial, automotive, and consumer electronics.   Featuring a compact and robust package, the PSMN004-60P offers excellent thermal performance, enabling reliable operation under high current loads. Its fast switching characteristics enhance efficiency in DC-DC converters, motor drives, and power supply units. Additionally, the device incorporates advanced silicon technology to improve durability and reduce conduction losses.   Engineers favor the PSMN004-60P for its balance of performance, cost-effectiveness, and ease of integration into existing designs. Whether used in battery management systems, load switches, or high-frequency inverters, this MOSFET delivers consistent performance while meeting stringent industry standards.   For designers seeking a reliable power switching solution, the PSMN004-60P provides a compelling combination of efficiency, thermal stability, and compact form factor, making it a versatile choice for modern electronic systems. |
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Specializes in hard-to-find components chips