64 Kbit (8Kb X 8) ZEROPOWER SRAM The **M48Z58Y-70MH1E** is a non-volatile SRAM (nvSRAM) manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Type:** Non-Volatile SRAM (nvSRAM)  
- **Density:** 512 Kbit (64K x 8)  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Supply Voltage:** 4.5V to 5.5V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 28-pin SOIC (MH1E)  
- **Data Retention:** 20 years (minimum)  
- **Write Endurance:** Unlimited (SRAM) / 1 Million cycles (EEPROM backup)  

### **Features:**  
- **Automatic Store on Power Loss:** Integrated EEPROM backup ensures data retention.  
- **High-Speed SRAM Access:** 70 ns access time for fast read/write operations.  
- **Non-Volatile Storage:** Combines SRAM speed with EEPROM non-volatility.  
- **Low Power Consumption:** Standby current typically 1 µA in battery backup mode.  
- **Industrial Temperature Range:** Suitable for harsh environments.  

This device is commonly used in applications requiring fast, non-volatile memory, such as industrial controls, networking equipment, and data logging systems.  

Would you like additional details on pin configuration or application notes?

64 Kbit (8Kb X 8) ZEROPOWER SRAM