32Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance The part **BQ4011YMA-150** is manufactured by **BQ**. Below are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** BQ  
- **Part Number:** BQ4011YMA-150  
- **Type:** Non-volatile SRAM (NVSRAM)  
- **Density:** 1Mb (128K x 8)  
- **Access Time:** 150ns  
- **Interface:** Parallel  
- **Voltage Supply:** 5V  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 32-pin SOJ (Small Outline J-Lead)  
- **Additional Features:**  
  - Battery backup capability  
  - Automatic store on power loss  
  - Unlimited write cycles  

This information is strictly factual from the available knowledge base. Let me know if you need further details.

32Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance# BQ4011YMA150 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BQ4011YMA150 is a high-performance  non-volatile SRAM (nvSRAM)  component primarily employed in applications requiring  continuous data retention  during power loss scenarios. Key use cases include:

-  Industrial Automation Systems : Maintains critical process parameters, machine settings, and operational data during unexpected power interruptions
-  Medical Equipment : Preserves patient monitoring data, device configurations, and treatment parameters in life-support systems
-  Automotive Electronics : Stores odometer readings, engine management data, and safety system parameters
-  Network Infrastructure : Retains routing tables, configuration data, and network statistics in routers and switches
-  Aerospace Systems : Maintains flight data, navigation parameters, and system configurations

### Industry Applications
-  Industrial Control : PLCs, CNC machines, robotic controllers
-  Medical Devices : Patient monitors, diagnostic equipment, infusion pumps
-  Automotive : Engine control units, telematics systems, advanced driver assistance systems
-  Communications : Base stations, network switches, telecommunications equipment
-  Energy Management : Smart grid systems, power quality monitors

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Instantaneous Data Storage : Automatic data transfer to non-volatile elements during power loss
-  High-Speed Operation : SRAM-like access times (typically 15-25ns) for real-time applications
-  Unlimited Write Cycles : Unlike conventional Flash memory
-  Data Integrity : Built-in error detection/correction mechanisms
-  Wide Temperature Range : Industrial-grade operation (-40°C to +85°C)

 Limitations: 
-  Higher Cost : Compared to separate SRAM + EEPROM solutions
-  Limited Density : Maximum capacity constraints compared to standalone memories
-  Power Management Complexity : Requires careful power monitoring circuitry
-  Board Space : Larger package size than discrete solutions

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing data corruption during power transitions
-  Solution : Implement 100nF ceramic capacitors within 10mm of each power pin, plus 10μF bulk capacitor

 Power Monitoring 
-  Pitfall : Incorrect power-fail detection threshold setting
-  Solution : Use precision voltage supervisors with hysteresis (typically 4.5V ±5% for 5V systems)

 Signal Integrity 
-  Pitfall : Excessive trace lengths causing timing violations
-  Solution : Keep address/data lines under 75mm with proper termination

### Compatibility Issues

 Microcontroller Interfaces 
-  Issue : Timing mismatches with modern high-speed processors
-  Resolution : Insert wait states or use memory controllers with programmable timing

 Mixed Voltage Systems 
-  Issue : 5V component in 3.3V systems
-  Resolution : Implement level shifters or select 3.3V compatible variants

 Bus Contention 
-  Issue : Multiple devices driving the same bus lines
-  Resolution : Proper bus isolation and tri-state control implementation

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes with multiple vias to reduce impedance
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Separate analog and digital ground planes with single-point connection

 Signal Routing 
- Route address/data buses as matched-length groups (±5mm tolerance)
- Maintain 3W rule (trace spacing = 3× trace width) for high-speed signals
- Avoid 90° corners; use 45° angles or curved traces

 Component Placement 
- Position decoupling capacitors directly adjacent to power pins
- Keep crystal/oscillator close to clock inputs with ground shield
- Maintain minimum 2mm clearance from other high-frequency components

32Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance The **BQ4011YMA-150** is a high-performance **nonvolatile static RAM (NVSRAM)** integrated circuit designed for applications requiring fast, reliable data storage with battery backup. This component combines the speed of static RAM with the nonvolatility of EEPROM, ensuring data integrity during power interruptions.  

With a **150ns access time**, the BQ4011YMA-150 provides efficient read and write operations, making it suitable for industrial, automotive, and embedded systems where real-time data retention is critical. Its **4K × 8-bit (32Kb) memory configuration** offers ample storage for configuration settings, logging, and backup purposes.  

Key features include **automatic store and recall functions**, which transfer data between SRAM and nonvolatile storage during power transitions, eliminating the need for external intervention. The device operates within a **4.5V to 5.5V range** and includes a built-in lithium energy source for backup power.  

The BQ4011YMA-150 is housed in a **28-pin SOIC package**, ensuring compact integration into space-constrained designs. Its robust architecture and low-power consumption make it a dependable choice for mission-critical applications requiring persistent memory without sacrificing performance.  

For engineers seeking a reliable NVSRAM solution, the BQ4011YMA-150 delivers durability, speed, and seamless data retention in demanding environments.

32Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance# BQ4011YMA150 Technical Documentation

*Manufacturer: BENCHMARQ*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BQ4011YMA150 is a specialized non-volatile SRAM (NVSRAM) component primarily employed in systems requiring persistent data storage with rapid access times. Typical implementations include:

-  Real-time data logging systems  where power loss must not compromise critical measurement data
-  Industrial automation controllers  storing configuration parameters and operational history
-  Medical diagnostic equipment  preserving patient data and device calibration settings
-  Telecommunications infrastructure  maintaining routing tables and network configuration
-  Automotive systems  storing odometer readings, fault codes, and performance data

### Industry Applications
 Industrial Automation : Deployed in PLCs (Programmable Logic Controllers) for storing ladder logic programs and process variables. The component's fast write cycles (compared to EEPROM) enable rapid parameter updates during operation.

 Medical Devices : Utilized in patient monitoring equipment where continuous data recording is essential. The automatic store/recall capability ensures data integrity during power transitions.

 Aerospace Systems : Applied in flight data recorders and avionics where radiation tolerance and data retention are critical. The built-in lithium cell provides extended backup duration.

 Financial Systems : Integrated in point-of-sale terminals and ATM machines for transaction logging and security data storage.

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Zero write delay  - Data transfer to non-volatile storage occurs automatically during power loss
-  High endurance  - Unlimited read cycles and >1,000,000 write cycles to non-volatile elements
-  Fast access times  - 150ns read/write speeds comparable to standard SRAM
-  Data retention  - Minimum 10-year data retention with integrated battery backup
-  Wide temperature range  - Operational from -40°C to +85°C

 Limitations: 
-  Higher cost per bit  compared to Flash or EEPROM alternatives
-  Limited density  - Maximum capacity constraints compared to modern Flash memory
-  Battery dependency  - Eventual battery replacement required for extended operation
-  Physical size  - Larger footprint than equivalent non-battery-backed solutions

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Power Supply Sequencing 
*Problem*: Improper power-up/down sequencing can corrupt non-volatile storage operations
*Solution*: Implement proper power monitoring circuitry and ensure VCC ramps within specified limits (typically 0.1V/μs to 10V/μs)

 Pitfall 2: Battery Backup Circuit Design 
*Problem*: Poor battery switching design causes data loss during power transitions
*Solution*: Use manufacturer-recommended switching circuits and ensure battery voltage remains within 2.0V to 3.5V range

 Pitfall 3: Signal Integrity Issues 
*Problem*: Long trace lengths causing signal degradation and timing violations
*Solution*: Keep address/data lines under 3 inches and use proper termination techniques

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces :
- Compatible with most 5V and 3.3V microcontrollers
- Requires careful timing analysis with modern high-speed processors
- May need wait-state insertion for processors exceeding 20MHz bus speeds

 Power Management ICs :
- Works well with standard LDO regulators and switching power supplies
- Requires clean power supply with less than 50mV ripple
- Incompatible with power supplies having slow ramp-up times (>100ms)

 Communication Protocols :
- Native parallel interface compatible with standard memory controllers
- May require level shifters for mixed-voltage systems
- Not directly compatible with serial interfaces without bridge ICs

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution