KSH29CTF

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KSH29CTF is a Schottky Barrier Diode (SBD) manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor) or Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode (SBD)  
- **Manufacturer:** FSC (Fairchild Semiconductor) or Samsung  
- **Package:** SOD-123FL (Surface Mount)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 40V  
- **Average Forward Current (IF):** 2A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 50A  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.38V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at 40V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KSH29CTF is a high-efficiency Schottky diode designed for low-loss rectification in power supply circuits.  
- It features a low forward voltage drop and fast switching characteristics, making it suitable for high-frequency applications.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Ideal for high-frequency rectification.  
- **High Surge Current Capability:** Withstands transient currents.  
- **Small SOD-123FL Package:** Space-saving surface-mount design.  
- **High Temperature Operation:** Reliable performance in harsh environments.  

This information is based on available datasheets and manufacturer specifications. For exact details, refer to the official documentation from FSC or Samsung.

NPN Epitaxial Silicon Transistor