Leaded Power Transistor General Purpose The BD237 is an NPN power transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 2A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 25W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = 500mA, V_CE = 2V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-126 (similar to TO-220 but smaller)  

These specifications are based on ON Semiconductor's datasheet for the BD237.