**Specifications:**  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 120V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 1.2A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1.2W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 320 (at Ic = 0.5A, Vce = 5V)  
- **Transition Frequency (ft):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- High-voltage, high-speed switching transistor  
- Low saturation voltage  
- Suitable for general-purpose amplification and switching applications  
- TO-92 package (lead-free)  
- RoHS compliant  

(Note: Always verify with the latest datasheet for accuracy.)

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-126  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 120V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 120V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.2W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 160  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- High-voltage, medium-power NPN transistor  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Suitable for audio, power supply, and driver circuits  
- Low saturation voltage for efficient switching  
- High current gain bandwidth product (f_T) for improved performance in high-frequency applications  
- Robust TO-126 package for thermal management  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed electrical characteristics and application guidelines.)