TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER AND DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS The 2SC5171 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-speed switching, RF amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 180 V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 160 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5 V
- **Collector Current (IC)**: 1.5 A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20 W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150 °C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55 to +150 °C
- **Transition Frequency (fT)**: 200 MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 40 to 320 (at IC = 0.1 A, VCE = 5 V)
- **Package**: TO-220F (isolated type)

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC5171 transistor.