### **Manufacturer:** Samsung  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 600MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-frequency and low-noise amplification.  
- Suitable for VHF/UHF applications.  
- Low collector-to-emitter saturation voltage.  
- High current gain bandwidth product.  
- Encapsulated in a TO-92 package.  

This information is based solely on the available specifications for the **KSC1393** transistor from Samsung.

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320 (at I_C = 2mA, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with low noise performance.  
- Suitable for low-power and high-frequency applications.  
- Compliant with RoHS standards.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016.)